سفارش تبلیغ
صبا
مردی به پیامبر صلی الله علیه و آله گفت : «ای رسول خدا ! به من کاری بیاموز که چون انجامش دهم، خدا در آسمان، وزمینیانْ دوستم بدارند» .حضرت فرمود : «به آنچه نزد خداوند است، رغبت کن، تا خداوند دوستت بدارد و به آنچه نزد مردم است، بی میلی نشان بده، تا مردمْ دوستت بدارند» [امام صادق علیه السلام]
 
پنج شنبه 95 آذر 11 , ساعت 6:31 صبح

 

برای دریافت پروژه اینجا کلیک کنید

دانلود مقاله شبیه سازی سه بعدی و بهبود رسانایی خروجی در ترانزیستورهای سیلیکون روی عایق (SOI) با اتصال بدنه لوزی شکل و طول کانال 45 نانومتر pdf دارای 7 صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد دانلود مقاله شبیه سازی سه بعدی و بهبود رسانایی خروجی در ترانزیستورهای سیلیکون روی عایق (SOI) با اتصال بدنه لوزی شکل و طول کانال 45 نانومتر pdf کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه و مراکز دولتی می باشد.

این پروژه توسط مرکز مرکز پروژه های دانشجویی آماده و تنظیم شده است

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی دانلود مقاله شبیه سازی سه بعدی و بهبود رسانایی خروجی در ترانزیستورهای سیلیکون روی عایق (SOI) با اتصال بدنه لوزی شکل و طول کانال 45 نانومتر pdf ،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد


بخشی از متن دانلود مقاله شبیه سازی سه بعدی و بهبود رسانایی خروجی در ترانزیستورهای سیلیکون روی عایق (SOI) با اتصال بدنه لوزی شکل و طول کانال 45 نانومتر pdf :

سال انتشار: 1388

محل انتشار: دومین کنفرانس ملی مهندسی برق

تعداد صفحات: 7

چکیده:

این مقاله برای اولین بار بهبود رسانایی خروجی ترانزیستورهای Partially Depleted SOI MOSFET با مقیاس 45 نانوماتر با استفاده از اتصال بدنه لوزی شکل را بیان می کند. نتایج شبیه سازی سه بعدی برای ماسفت های اتصال بدنه به سورس با اتصال بدنه لوزی شکل و اتصال بدنه مرسوم بیان گردیده است. ترانزیستور دارای اتصال بدنه مرسوم شامل یک ناحیه مستطیل شکل دارای کاشت ناخالصی از نوع +p در سورس ترانزیستور از نوع N می باشد. در ترانزیستور با اتصال بدنه لوزی شکل، دو ناحیه با کاشت یونی +p به شکل لوزی استفاده شده است. شبیه سازی ها نشان می دهد که در ترانزیستور اتصال بدنه لوزی شکل، اثرات بدنه شناور خنثی شده است در حالیکه جریان درین (Ids) در ناحیه خطی کار ترانزیستور افزایش پیدا کرده است. بعلاوه، شبیه سازی سه بعدی سیگنال کوچک ترانزیستور، بیانگر کاهش رسانایی خروجی (gds) در ترانزیستورهای با بدنه لوزی شکل به میزان 24% می باشد. فرکانس گذار رسانایی خروجی مربوط به مقاومت بدنه در ترانزیستور با اتصال بدنه لوزی شکل به 2/5 برابر مقدار آن در ترانزیستور با اتصال بدنه مرسوم افزایش پیدا کرده است. این افزایش، امکان استفاده از ماسفت ها با اتصال بدنه لوزی شکل در فرکانس های بالاتر با بهره ذاتی بیشتر را فراهم می کند.

 

برای دریافت پروژه اینجا کلیک کنید

لیست کل یادداشت های این وبلاگ